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J-GLOBAL ID:200903039155526318

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 白井 重隆
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999177703
Publication number (International publication number):2001049179
Application date: Jun. 24, 1999
Publication date: Feb. 20, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、塗膜が均一で、さらにCMP耐性に優れた低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 R2 R3 Si(OR1 )2 、R2 Si(OR1 )3 およびSi(OR1 )4 の群から選ばれた少なくとも1種と、R2 s (R1 O)3-s SiRSi(OR1)3-t R2 t (R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である)、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)一般式PEOn-R′(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、R′は炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。
Claim (excerpt):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、(A-2)下記一般式(2)で表される化合物および(A-3)下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種と、(A-4)下記一般式(4)で表される化合物、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である。)(B)一般式PEOn-R′(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、R′は炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4):
C09D183/04 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (4):
C09D183/04 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
F-Term (22):
4J038DF022 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038JC32 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

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