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J-GLOBAL ID：200903039155526318

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

Inventor： 黒澤 孝彦 ,  今野 圭二 ,  林 英治 ,  塩田 淳 ,  山田 欣司 ,  後藤 幸平
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Agent (1)： 白井 重隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177703
Publication number (International publication number)：2001049179
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、塗膜が均一で、さらにCMP耐性に優れた低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 R2 R3 Si(OR1 )2 、R2 Si(OR1 )3 およびSi(OR1 )4 の群から選ばれた少なくとも1種と、R2 s (R1 O)3-s SiRSi(OR1)3-t R2 t (R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である)、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)一般式PEOn-R′(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、R′は炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。

Claim (excerpt)：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、(A-2)下記一般式(2)で表される化合物および(A-3)下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種と、(A-4)下記一般式(4)で表される化合物、とを含有するシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(R1 〜R3 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である。)(B)一般式PEOn-R′(ただし、PEOはポリエチレンオキサイド単位、R′は炭素数5〜30の1価の有機基、nは5〜50の整数を示す)で表されるポリエーテル、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (4)：

C09D183/04 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (4)：

C09D183/04 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

F-Term (22)：

4J038DF022 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038JC32 ,  4J038KA06 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02