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J-GLOBAL ID：200903039169086051

マイクロ波プラズマCVD法およびマイクロ波プラズマCVD装置

Inventor： 黒川 岳
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992339006
Publication number (International publication number)：1994184754
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 膜質を変化させることなく低コストおよび高稼動率で堆積膜を形成できるマイクロ波プラズマCVD装置を提供する。【構成】 真空容器1は真空気密化構造をなしている。真空容器1の底部は導波管3を介してマイクロ波電源に接続されている。真空容器1の側部には、プラズマ放電空間が形成されているか否かを検知するためのセンサーである放電検出ロッド4と、露出したタングステンで構成されたフィラメント6とが設けられている。放電検出ロッド4は制御部5に接続されており、放電検出ロッド4の出力により制御部5が放電切れを検知できるようになっている。フィラメント6は、制御部5の制御によりオンオフするスイッチ7により直流電圧が印加されるようになっている。

Claim (excerpt)：

真空気密可能な反応容器内にマイクロ波エネルギーを導入してプラズマ放電空間を形成し、前記プラズマ放電空間に配した基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法において、前記堆積膜形成中に前記反応容器内で電子を放出することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD法。

IPC (2)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-290926
  
• 特開平3-061371
  
• 特開平4-276079
  
• 特開昭63-020484
  
• 特開平4-187772