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J-GLOBAL ID：200903039177628653

半導体露光装置及び露光方法

Inventor： 小川 透 ,  植松 政也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309798
Publication number (International publication number)：1995142805
Application date： Nov. 16, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】大きな焦点深度を有する半導体露光装置を提供する。【構成】半導体露光装置は、レーザ光源10、及びレーザ光源から射出された光が入射されそしてこの入射光の第2高調波に基づいた波長を有する光を射出する第2高調波発生装置20を具備している。そして、エタロン27を備えた第2高調波発生装置20が複数備えられており、各第2高調波発生装置から射出される光の波長をエタロン27によって異ならせる。あるいは又、半導体露光装置は、レーザ光源、及びレーザ光源から射出された光が入射されそしてこの入射光の第2高調波に基づいた波長を有する光を射出する第2高調波発生装置を具備している。そして、エタロンを備え、第2高調波発生装置から射出される光の波長をエタロンによって変化させる。

Claim (excerpt)：

レーザ光源、及び該レーザ光源から射出された光が入射されそして該光の第2高調波に基づいた波長を有する光を射出する第2高調波発生装置を具備した半導体露光装置であって、波長分散素子を備えた第2高調波発生装置が複数備えられており、該波長分散素子によって各第2高調波発生装置から射出される光の波長を異ならせることを特徴とする半導体露光装置。

IPC (3)：

H01S 3/109 ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 514 E ,  H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 515 D