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J-GLOBAL ID：200903039180989845
スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
東海 裕作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312940
Publication number (International publication number)：1994135742
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： May. 17, 1994
Summary：
【要約】【目的】均一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方法を提供する。【構成】Snドープ量をInに対して0.05〜2.0%で成膜する方法、又はSnドープ量をInに対して10〜40%で成膜する方法。更に、上記の成膜方法と酸素含有雰囲気にて200°C以上の温度で加熱処理する方法を併用した成膜方法。【効果】該方法により、200〜1000Ω/□の比較的高抵抗で、しかも均一性に優れたITO膜をより効率的に成膜することができる。
Claim (excerpt)：
膜中のスズ含有量がインジウムに対して0.05〜2.0重量%又は10〜40重量%で成膜することを特徴とするスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。
IPC (2)：
C03C 17/245
, H01B 13/00 503
Cited by examiner (5)
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