珪素・炭化珪素セラミックスの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木下茂 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998210324
Publication number (International publication number)：2000026177
Application date： Jul. 09, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】炭素粉末や多量の有機結合剤を配合することなく、しかも、Si含浸反応焼結時における該Siの浸透が充分に行われ、得られるセラミックス基材の組織が均質緻密で、強度、耐熱衝撃性に優れ、また組織内に残留未反応炭素の凝集部分が存在しないため、炭素の脱離に基づくダストの発生を回避することができる珪素・炭化珪素セラミックスの製造方法を提供する。【解決手段】原料炭化珪素に対し1.5乃至11重量%の結合剤を配合した混合物を成形し、得られた多孔質成形体を1500°C以上で仮焼し、引き続き若しくは冷却後、該仮焼多孔質成形体に、該成形体の炭化珪素粒子表面を分解してその表面に遊離炭素を生成させる遊離炭素生成化処理を施し、その後、該処理成形体に溶融珪素を含浸させる。

Claim (excerpt)：

原料炭化珪素に対し下記仮焼後の残炭率が0.005〜5.0重量%となるように1.5乃至11重量%の結合剤を配合した混合物を成形し、得られた多孔質成形体を1500°C以上で仮焼し、引き続き若しくは冷却後、該仮焼多孔質成形体に、該成形体の炭化珪素粒子表面を分解してその表面に遊離炭素を生成させる遊離炭素生成化処理を施し、その後、該処理成形体に溶融珪素を含浸させることを特徴とする珪素・炭化珪素セラミックスの製造方法。

IPC (2)：

C04B 41/88 , C04B 35/565

FI (2)：

C04B 41/88 U , C04B 35/56 101 X

F-Term (11)：

4G001BA22 , 4G001BB22 , 4G001BB60 , 4G001BC17 , 4G001BC71 , 4G001BD04 , 4G001BD07 , 4G001BD14 , 4G001BD38 , 4G001BE11 , 4G001BE33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-006264 Applicant：住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
特開昭63-035452

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