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J-GLOBAL ID：200903039188051870
シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996093618
Publication number (International publication number)：1997260449
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 簡便且つ迅速で安価な手法によりシリコン単結晶の結晶欠陥を評価する。【解決手段】 シリコン単結晶基板1表面の自然酸化膜2を除去する工程と、自然酸化膜2が除去されたシリコン単結晶基板1表面上に銅4を堆積させる工程と、表面に銅4が堆積したシリコン単結晶基板1をアルカリ性水溶液でエッチングする工程と、エッチングされたシリコン単結晶表面1を目視または光学顕微鏡により観察してシリコン単結晶基板1の結晶欠陥3を評価する。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶基板表面の自然酸化膜を除去する工程と、自然酸化膜が除去された該シリコン単結晶基板表面上に銅を堆積させる工程と、表面に銅が堆積した該シリコン単結晶基板をアルカリ性水溶液でエッチングする工程と、エッチングされた該シリコン単結晶表面を目視または光学顕微鏡により観察する工程を有することを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/66 N
, G01N 21/88 F
