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J-GLOBAL ID：200903039192922274

半導体加速度センサ

Inventor： 國村 智 ,  中山 四郎 ,  高橋 克彦 ,  橋本 広和 ,  西村 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991183043
Publication number (International publication number)：1993005750
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【構成】 本願の半導体加速度センサ11は、半導体基板2の中央部に形成された質量部3と、該質量部3の周囲に形成された枠部4と、前記質量部3と前記枠部4との間に形成され前記半導体基板2を薄肉化してなる弾性部12と、該弾性部12の上面側に形成された複数対のピエゾ抵抗6,... とを具備し、前記弾性部12は、梁部13と、該梁部の両側部に該梁部より薄厚に形成されたダイヤフラム部14,14とからなることを特徴とする。【効果】 センサとしての指向性と耐衝撃性を向上させることができ、ダイヤフラム部の厚みにバラツキがあってもセンサ出力比を一定とすることができる。また、梁部の厚みに対するダイヤフラム部の厚みの比を制御すればよいので、半導体加速度センサの製品歩留まりを向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の中央部に形成された質量部と、該質量部の周囲に形成された枠部と、前記質量部と前記枠部との間に形成され前記半導体基板を薄肉化してなる弾性部と、該弾性部の上面側に形成された複数対のピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサにおいて、前記弾性部は、梁部と、該梁部の両側部に該梁部より薄厚に形成されたダイヤフラム部とからなることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84