Pat

J-GLOBAL ID：200903039194850483

3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置

Inventor： 向井 剛輝 ,  大塚 信幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222107
Publication number (International publication number)：1996088345
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 比較的簡便な製造工程で作製できる量子箱構造を有する半導体装置を提供する。【構成】 単結晶を成長可能な半導体表面と、前記半導体表面の上に、ほぼ全面にエピタキシャル成長されたIII-V族化合物半導体からなる第1の領域、及び第1の領域とは構成元素の組成比が異なり、前記第1の領域の中に散点状に配置されたIII-V族化合物半導体からなる第2の領域とから構成され、前記第2の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数とは異なり、その差は、前記第1の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数との差よりも大きい第1の半導体層とを有する。

Claim (excerpt)：

単結晶を成長可能な半導体表面と、前記半導体表面の上に、ほぼ全面にエピタキシャル成長されたIII-V族化合物半導体からなる第1の領域、及び第1の領域とは構成元素の組成比が異なり、前記第1の領域の中に散点状に配置されたIII-V族化合物半導体からなる第2の領域とから構成され、前記第2の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数とは異なり、その差は、前記第1の領域の無歪時の格子定数と前記半導体表面の格子定数との差よりも大きい第1の半導体層とを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/04 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平2-002198
  
• 特開平3-265827
  

Cited by examiner (3)

• 特開平2-002198
  
• 特開平2-002198
  
• 特開平3-265827