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J-GLOBAL ID：200903039200002422

分子線エピタキシャル結晶成長装置

Inventor： 安東 幸司 ,  園田 琢二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992148681
Publication number (International publication number)：1993326404
Application date： May. 14, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板面方向に分布を有するエピタキシャル成長ができるエピタキシャル結晶成長装置を得ることを目的とする。【構成】 基板ホルダ2の前面に所定の形状を有する外周部シャッタ11を設け、必要に応じてこれを作動させて分子線5を遮蔽し、基板1に到達する分子線の分布を変化させることにより、基板1面方向に分布を有するエピタキシャル成長を行う。

Claim (excerpt)：

セルに収容した分子線原料を加熱して分子線を射出し、基板ホルダに保持された半導体基板表面に結晶成長を行なう分子線エピタキシャル結晶成長装置において、上記半導体基板に入射する分子線の一部を遮蔽する分子線遮蔽手段を設けたことを特徴とする分子線エピタキシャル結晶装置。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812