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J-GLOBAL ID：200903039214565659

分布反射型半導体レーザ

Inventor： 森 浩 ,  亀田 俊弘 ,  永井 治男
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272289
Publication number (International publication number)：1994097604
Application date： Sep. 16, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】コヒーレント光伝送方式等の使用する、発振波長の高制御性、スペクトル線幅のより狭窄化、ゆらぎの抑圧等、より広帯域での単一モード特性を備えた分布反射型半導体レーザを提供する。【構成】DBR領域13を加熱する加熱手段9を、中央部の抵抗を端部に比べて小さくし、DBR領域の両端部を中央部に比べてより加熱する構造とした。その結果、加熱手段9の中央部の発熱を抑えることができ、DBR領域13の温度が一様となった。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)上に、発光領域(11)と、位相制御領域(12)と、DBR領域(13)とがレーザ共振軸方向につらなって形成されている分布反射型半導体レーザにおいて、前記位相制御領域の上部に形成され位相制御領域を加熱するための第1の加熱手段(9a)と、前記DBR領域の上部に形成され、中央部の抵抗を両端部より小さくした第2の加熱手段(9b、9c))とを備え、前記DBR領域の両端部を中央部より高温で加熱することを特徴とする分布反射型半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/103