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J-GLOBAL ID：200903039227718993
入出力保護素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993341836
Publication number (International publication number)：1995169959
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 入出力保護素子において、素子分離端拡散層のコーナ部での電界集中を緩和して、静電破壊耐量の向上を図る。【構成】 MISFETのドレイン領域での素子分離端コーナ部(a,c,e,g)の接合耐圧が高く、コーナ部以外の素子分離端(b,d,f)の接合耐圧が低くなるように形成する。
Claim (excerpt)：
MISFET及びバイポーラトランジスタ動作素子を利用した入出力保護素子であって、基板上に形成されたMISFETのドレイン領域及びバイポーラトランジスタ動作素子のコレクタ領域となる拡散層の素子分離端で、前記拡散層のコーナ部における拡散層接合耐圧が、コーナ部以外の素子分離端の拡散層接合耐圧より高いことを特徴とする入出力保護素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 301 K
, H01L 27/06 311 C
