Pat

J-GLOBAL ID：200903039234570500

液晶表示装置

Inventor： 山田 啓作 ,  柿木 正美
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995196846
Publication number (International publication number)：1997043628
Application date： Aug. 01, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 特に画素部スイッチング素子の多結晶Si層およびアモルファスSi層のうち少なくともいずれか一つに対する電気的に良好な接触が可能で、剥離の問題も解消された配線を備えた、液晶表示装置を提供する。【解決手段】 マグネシウムが 5モル%以上の場合には、銅中に添加金属に起因する析出物としてMgCu2 ができる。これは加工性や電気特性上好ましくないことを我々は実験により確認した。従って、マグネシウムは 5モル%以下が好適である。一方、マグネシウムが 0.1モル%以下であると、十分な効果が得られない。従って、マグネシウムは 0.1モル%以上 5モル%以下が好ましい。それ故、残りは95モル%以上の銅を含む合金であることが望ましい。

Claim (excerpt)：

基板上に互いに交差するように配列された複数の走査配線と複数の信号配線と該走査配線および該信号配線の交差部ごとに形成され該走査配線および該信号配線に接続されたスイッチング素子と該スイッチング素子ごとに接続された透明電極からなる画素電極とが形成されたスイッチング素子アレイ基板と、前記スイッチング素子アレイ基板に間隙を有して対向配置される対向電極が形成された対向基板と、前記スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板との間に封入された液晶組成物とを有する液晶表示装置において、マグネシウムを 0.1モル%以上 5モル%以下含み、かつ95モル%以上の銅を含む合金を金属材料として用いて、前記スイッチング素子の活性層に用いられている多結晶Si層、アモルファスSi層の各層のうち少なくとも一つ以上の層の上に、Siを構成元素として含んだ絶縁膜に穿設された開口部を通して前記各層のうち少なくとも一つに対して電気接触を持つ配線が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786

FI (3)：

G02F 1/136 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 C