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J-GLOBAL ID：200903039236260150

半導体発光素子

Inventor： 立岡 一樹 ,  内藤 浩樹 ,  清水 裕一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040911
Publication number (International publication number)：1993243608
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光ファイバジャイロ等の光源として用いる高出力、低電流動作のスーパールミネッセントダイオードを提供する。【構成】 Ga0.92Al0.08As活性層4の少なくとも一方の面に形成されたリッジ5aを有するp型のGa0.5Al0.5Asクラッド層5と、リッジ5aの長手方向の側面に沿って形成されたn型のGa0.40Al0.60As電流ブロック層と、Ga0.92Al0.08As活性層4の一方の端と素子端面の間に形成されたp型のGa0.55Al0.45Asウインドウ層9とを備え、X、YおよびZの間にZ>Y>X≧0の関係を有し、X、YおよびWの間にY≧W>Xの関係を有する。

Claim (excerpt)：

Ga1-XAlXAs活性層の少なくとも一方の面に形成されたリッジを有する一導電型のGa1-YAlYAs層と、前記リッジの長手方向の側面に沿って形成された逆導電型のGa1-ZAlZAs層と、前記Ga1-XAlXAs活性層の一方の端と素子端面の間に形成されたGa1-wAlwAs層とを備え、X、YおよびZの間にZ>Y>X≧0の関係を有し、X、YおよびWの間にY≧W>Xの関係を有する半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18