半導体装置のはんだバンプ形成方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995341681
Publication number (International publication number)：1997186161
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】はんだと半導体基板の電極との反応を防止し、剥離等がなくて信頼性が高く高密度LSIチップのフリップチップ接合に適用できる半導体装置のバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 Siウェハ1のAl電極2上に、スパッタ法によりTi層3を0.2〜0.8μm、第1のNi層4を0.5μm程度の厚さに形成し、電解ストライクめっき法により、前記第1のNi層4上に第2のNi層5を0.1μm以下の厚さに形成し、更に電解めっき法により、第2のNiめっき層5上に第3のNi層6を1〜5μmの厚さに形成する。そして、電解めっき法により、前記第3のNi層6上にはんだ層7を形成した後、該はんだ層を溶融させてはんだバンプを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に設けられた外部接続用電極上にスパッタ法によりチタン層及び第1のニッケル層を順次形成する工程と、前記第1のニッケル層上に第2のニッケル層を電解ストライクめっき法により形成する工程と、前記第2のニッケル層上に第3のニッケル層を電解めっき法により形成する工程と、前記第3のニッケル層上にはんだ層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置のはんだバンプ形成方法。

FI (5)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 602 F , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 603 B , H01L 21/92 604 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭57-139945
特開昭61-253384
ニッケルチタン合金部材のめっき方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222019 Applicant：古河電気工業株式会社

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Cited by examiner (5)

特開昭57-139945
特開昭61-253384
ニッケルチタン合金部材のめっき方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222019 Applicant：古河電気工業株式会社

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