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J-GLOBAL ID：200903039276276769

半導体装置の製造方法

Inventor： 竹田 喜彦 ,  町田 智弘 ,  南森 孝幸
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071596
Publication number (International publication number)：1993275723
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置におけるpn接合を気相成長法で形成する際の高温処理時間を短縮することによって、素子特性の優れた半導体装置を提供する。【構成】 第1導電型半導体基板上に第2導電型の不純物を含む半導体層を形成する際に、雰囲気ガス中の第2導電型の不純物を含むガス量が少ないときには基板温度を相対的に低く調整し、前記のガス量の増加に応じて基板温度を上昇させる。すなわち、第2導電型の不純物を含むガス量の変化に応じて半導体基板の温度を変化させることによって第2導電型の半導体層を形成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板上に第2導電型の半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、気相成長法において、雰囲気ガス中の前記第2導電型の不純物を含むガス量の変化に応じて前記半導体基板の温度を変化させることによって前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-184323
  
• 特開昭63-040383