Pat

J-GLOBAL ID：200903039281126015

酸化物超伝導体単結晶の製造方法

Inventor： 眞子 隆志 ,  島川 祐一 ,  久保 佳実
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992100203
Publication number (International publication number)：1993279191
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Tl系酸化物超伝導体の大型単結晶を静置徐冷法により、広い温度範囲で合成する。【構成】 融点の低いKCl/LiCl共晶フラックスを用いてTl系超伝導体単結晶を合成する。

Claim (excerpt)：

Tl2Ba2Can-1CunO6(式中、nは1,2または3である。)で表される酸化物超伝導体単結晶の製造方法において、KClとLiClの混合物をフラックスとして用い、Tl2O3+2BaO+(n-1)CaO+nCuO+x{(1-y)KCl+yLiCl}(2≦x≦500、0.05≦y≦1,n=1,2または3)なる組成範囲の混合粉末、もしくは、Tl2Ba2Can-1CunO4+2n+x{(1-y)KCl+yLiCl}(2≦x≦500、0.05≦y≦1、n=1,2または3)なる組成範囲の混合粉末を、500°C〜950°Cの温度範囲で融解し、10°C/hour以下の速度で徐冷することを特徴とする酸化物超伝導体単結晶の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 15/00 ZAA ,  C30B 9/12 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/12 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平1-275435