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J-GLOBAL ID:200903039286570487
エチレンポリマー類の製造方法
Inventor:
,
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
野河 信太郎
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001548577
Publication number (International publication number):2003518530
Application date: Dec. 22, 2000
Publication date: Jun. 10, 2003
Summary:
【要約】ヘテロ原子を含む特定のリガンド系を有する単一炭素の架橋したメタロセンからなる触媒の存在下で、重合反応を行うことにより、工業的に有利な温度で高収率で得られる、高分子量を有するエチレンベースのポリマー。
Claim (excerpt):
(A)式(I):【化1】[式中、AおよびBを含む環は、許容される位置に芳香特性を有する二重結合を有し;AおよびBは、硫黄(S)、酸素(O)およびCR9、(R9は水素、元素の周期表の13または15〜17族に属するヘテロ原子を任意に含む、C1〜C20アルキル、C3〜C20シクロアルキル、C2〜C20アルケニル、C6〜C20アリール、C7〜C20アルキルアリール、C7〜C20アリールアルキル基)から選択され、ただしAがSまたはOであるならばBはCR5であるか、またはBがSまたはOであるならばAはCR5であり;R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は同一または互いに異なって、水素、元素の周期表の13または15〜17族に属するヘテロ原子を任意に含む、C1〜C20アルキル、C3〜C20シクロアルキル、C2〜C20アルケニル、C6〜C20アリール、C7〜C20アルキルアリール、C7〜C20アリールアルキル基から選択され、2つの隣接するR1とR2および/またはR3とR4および/またはR5とR6は、置換基を有し得る4〜8原子からなる環を形成することができ;Mは、元素の周期表(新しいIUPAC版)における3、4、5、6族またはランタニドもしくはアクチニド族に属するものから選択される遷移金属の原子であり、Xは同一または互いに異なって、水素、ハロゲン原子、R10、OR10、OSO2CF3、OCOR10、SR10、NR102またはPR102基、(式中、置換基R10は水素、元素の周期表の13または15〜17族に属するヘテロ原子を任意に含む、C1〜C20アルキル、C3〜C20シクロアルキル、C2〜C20アルケニル、C6〜C20アリール、C7〜C20アルキルアリール、C7〜C20アリールアルキル基から選択され);pは、金属Mの酸化状態引く2に等しい1〜3の整数であり;イソプロピリデン(シクロペンタジエニル)-7-(シクロペンタジエニル-[1,2-b:4,3-b’]-ジチオフェン)ジルコニウムジクロリドを除く]のメタロセン化合物、および(B)アルモキサンおよび/またはアルキルメタロセンカチオンを形成し得る化合物を接触させることにより得られる生成物からなる触媒の存在下で、エチレンおよび任意に1またはそれ以上のオレフィンの重合反応からなるエチレンポリマー類の製造方法。
IPC (3):
C08F 4/602
, C08F 4/642
, C08F 10/00 510
FI (3):
C08F 4/602
, C08F 4/642
, C08F 10/00 510
F-Term (40):
4J128AA01
, 4J128AB00
, 4J128AB01
, 4J128AC01
, 4J128AC05
, 4J128AC10
, 4J128AC28
, 4J128AC31
, 4J128AC32
, 4J128AC41
, 4J128AC42
, 4J128AC44
, 4J128AC49
, 4J128AC50
, 4J128AD07
, 4J128AD08
, 4J128AD11
, 4J128AD13
, 4J128AE11
, 4J128BA00A
, 4J128BA01A
, 4J128BA01B
, 4J128BB00A
, 4J128BB01B
, 4J128BC01A
, 4J128BC25B
, 4J128CA14A
, 4J128CA17A
, 4J128CB62A
, 4J128EB01
, 4J128EB02
, 4J128EB04
, 4J128EB05
, 4J128EB08
, 4J128EB09
, 4J128EB10
, 4J128EB16
, 4J128EB17
, 4J128EB18
, 4J128GA04
Patent cited by the Patent:
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