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J-GLOBAL ID：200903039286933326

シリコンウェーハの製造方法

Inventor： 白井 宏 ,  吉川 淳 ,  小川 洋司 ,  鹿島一日児 ,  大久保一也
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049983
Publication number (International publication number)：1995235534
Application date： Feb. 24, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 水素含有ガス雰囲気中で熱処理をする事によって生じるウェーハ表面の微小なエッチング効果を積極的に利用し、更に特定範囲の表面状態を有するシリコンウェーハに適用することによってそのエッチング効果が効果的にウェーハ表面の状態を改善すること。【構成】 表面粗さRaが0.70〜1.00nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRaが0.60nm未満であるシリコンウェーハを製造する。表面粗さRqが0.80〜1.10nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRqが0.75nm未満であるシリコンウェーハを製造する。表面粗さRtが4.50〜7.00nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRtが4.00nm未満であるシリコンウェーハを製造する。

Claim (excerpt)：

表面粗さRaが0.70〜1.00nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRaが0.60nm未満であるシリコンウェーハを製造することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 321