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J-GLOBAL ID:200903039291030580

半導体加速度センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991203303
Publication number (International publication number):1993026901
Application date: Jul. 19, 1991
Publication date: Feb. 05, 1993
Summary:
【要約】【構成】 本願の半導体加速度センサは、半導体基板12に設けられた質量部16と、質量部16の周囲に設けられた薄肉の弾性部14と、該弾性部上に設けられた複数対のピエゾ抵抗17とを具備し、質量部16は、その上端の面積より小さい面積を有する接続部15を介して弾性部14に接続した構成である。また、前期弾性部14は複数の貫通孔の間に設けられた梁部としてもよい。【効果】 半導体基板に拡幅された弾性部もしくは梁部を形成することができ、センサとしての感度を大幅に向上させることができる。また、通常の半導体製造プロセスにより作成することができるので、超小形の半導体加速度センサが可能である。以上により、小型化、高感度化、高性能化が可能な半導体加速度センサを提供することができる。
Claim (excerpt):
半導体基板に設けられた質量部と、該質量部の周囲に設けられ前記半導体基板を薄肉化してなる弾性部と、該弾性部の上面側に設けられた複数対のピエゾ抵抗とを具備してなる半導体加速度センサにおいて、前記質量部は、該質量部の上端の面積より小さい面積を有する接続部を介して前記弾性部に接続してなることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-119270
  • 特開平2-309259
  • 特開平3-067177
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