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J-GLOBAL ID：200903039298153296

半導体装置の製造方法

Inventor： 高橋 功 ,  小林 弘之 ,  龍田 次郎 ,  冨澤 憲治 ,  新行内 隆之
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051786
Publication number (International publication number)：1995263384
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】化学機械研磨の後処理としてアルカリ処理を施すことによりウェーハの重金属汚染やパーティクルの発生を防止する。【構成】半導体ウェーハに化学機械研磨を施したのち、アルカリ薬液を用いて洗浄を行う。アルカリ薬液はアンモニア水と過酸化水素水とを混合した水溶液であり、組成比がアンモニア水:過酸化水素水:水=0.25:1:5、処理温度が80°C、処理時間が10分である。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハに化学機械研磨を施したのち、アルカリ薬液を用いて洗浄を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 341