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J-GLOBAL ID：200903039307583541
多層アルミナ質配線基板及び半導体素子収納用パッケージ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992230994
Publication number (International publication number)：1994085108
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【構成】アルミナを主成分とする絶縁層13間に、両側に一対の電極層15,23,25,29が形成され、かつ、アルミナ中に高誘電率付与剤を含有する高誘電体層11,27を介装してなり、電極層15,23,25,29が、高誘電率付与剤と同一材料を主成分とするものである。また、電極層15,23,25,29が、高誘電率付与剤と異なる材料を主成分とする場合には、高誘電体層11,27の厚みを30μm以上とする。【効果】電電極間の絶縁抵抗の低下を阻止することができ、高誘電率を保持することができる。
Claim (excerpt)：
アルミナを主成分とする絶縁層間に、両側にW或いはMoからなる一対の電極層が形成され、かつ、アルミナ中にW或いはMoからなる高誘電率付与剤を含有させた高誘電体層を介装してなる多層アルミナ質配線基板において、前記電極層が、前記高誘電率付与剤と同一材料を主成分とすることを特徴とする多層アルミナ質配線基板。
IPC (3)：
H01L 23/15
, H01L 23/12
, H05K 3/46
H01L 23/14 C
, H01L 23/12 N
