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J-GLOBAL ID：200903039315552680

2波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第2高調波発生装置

Inventor： 大上 秀晴
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 松野 英彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991355112
Publication number (International publication number)：1993173216
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 出力ビームが2つに分かれる事なく、そのエネルギーを有効に使用する事を可能にした固体レーザ素子を提供すると共に、この固体レーザ素子を用いた、第2高調波発生装置を提供する。【構成】 NdをドープしたYVO4 結晶を基板とし、該基板の上面に屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.19〜0.22μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.07〜0.12μmであるSiO2 膜が蒸着され、該SiO2 膜の上面には屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.10〜0.13μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.21〜0.26μmであるSiO2 膜が蒸着されている2波長反射防止膜付固体レーザ素子と、この2波長反射防止膜付固体レーザ素子を用いた第2高調波発生装置。

Claim (excerpt)：

基本波の波長を1.064μmとし、第2高調波の波長を0.532μmとする2波長反射防止膜付固体レーザ素子であって、NdをドープしたYVO4 結晶を基板とし、該基板の上面に屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.19〜0.22μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.07〜0.12μmであるSiO2 膜が蒸着され、該SiO2 膜の上面には屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.10〜0.13μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.21〜0.26μmであるSiO2 膜が蒸着されている事を特徴とする2波長反射防止膜付固体レーザ素子。

IPC (2)：

G02F 1/37 ,  G02B 1/10