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J-GLOBAL ID：200903039316821145

薄膜トランジスタおよびその製法

Inventor： 北角 英人
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991199952
Publication number (International publication number)：1993021343
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、レーザ光のビーム中心を適切な位置に照射できるようにし、半導体層の中心部温度を端部より低くすることにより、大粒径の結晶成長を可能にした薄膜トランジスタの半導体層再結晶化法の提供を目的とする。【構成】 本発明は、絶縁基板上に設けたヒートシンク層およびヒートシンク層をパターニングして形成させたエネルギービーム位置合わせ用のアライメントマークを利用することよりなる薄膜トランジスタの半導体層の再結晶化法。

Claim (excerpt)：

ヒートシンク層を有する薄膜トランジスタにおいて、ヒートシンク層がアライメントマークを兼用することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784