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J-GLOBAL ID：200903039317272510

試料表面分析法及びその分析装置

Inventor： 長谷川 正樹 ,  二宮 健 ,  山本 健一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253952
Publication number (International publication number)：1995110311
Application date： Oct. 12, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 試料表面の微小領域の光電子分光法において、上記微小領域における構成元素の深さ方向分析、バンド構造の解析、結晶構造の解析などの物理量、化学量の分析を簡便に行う。【構成】 軟X線から真空紫外線までの波長領域にある光を、光学素子3により集光して試料4表面の微小領域に照射し、そこから放出される光電子の運動エネルギーをエネルギー分析器9により計測すると同時に、光電子の角度分布を位置分解型検出器10により2次元像として計測し、それらの光電子信号から上記微小領域における構成元素の深さ方向分析や、バンド構造解析、結晶構造解析などを行う。

Claim (excerpt)：

軟X線から真空紫外線までの波長領域にある光を試料表面に照射し、該試料表面から放出された光電子の運動エネルギー分布と放出角度分布とから、該試料表面についての特定の物理量あるいは化学量を数学的手段により分析する試料表面分析法において、上記光は光学素子により集光されて上記試料表面の微小領域を照射し、かつ、該試料表面から放出された光電子の運動エネルギーの分析には、同時に、上記光電子の放出角度分布を2次元像として表示できるエネルギー分析器を用いたことを特徴とする試料表面分析法。