Pat

J-GLOBAL ID：200903039322094999

半導体デバイス検査装置

Inventor： 越馬 隆治
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 大西 正悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001059012
Publication number (International publication number)：2002261141
Application date： Mar. 02, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 検査装置が大型化しても検査装置の側方のスペースが広く、より広さが広い新たなクリーンルームの準備が不要な半導体デバイス検査装置を提供する。【解決手段】 半導体デバイス検査装置10は、光源から出射した光をCCD5が形成されたウエハ1の上方からCCD5の上面に照射する光照射装置30と、CCD5を上方へ向けた状態で検査位置Pに移動させてウエハ1を保持し、電圧が印加された状態のCCD5に光を照射してCCD5を検査するプローバ装置20と、プローバ装置20の角部外側に近接して上下方向に延びた支持脚61を有する。支持脚61により光照射装置30がプローバ装置20の上方位置において保持される。

Claim (excerpt)：

光を照射する光照射装置と、固体撮像素子が形成されたウエハを、前記固体撮像素子に前記光が照射される状態で保持し、前記固体撮像素子からの出力信号を取り込むプローバ装置と、前記プローバ装置の側部の近傍から前記プローバ装置の上方へ突出する複数の支持脚とを有し、前記支持脚により前記光照射装置が前記プローバ装置の上方位置で保持されることを特徴とする半導体デバイス検査装置。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  H01L 27/148

FI (3)：

H01L 21/66 X ,  H01L 21/66 B ,  H01L 27/14 B

F-Term (8)：

4M106AA01 ,  4M106AB09 ,  4M106BA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA17 ,  4M106DD08 ,  4M118AA09 ,  4M118AB01