Pat

J-GLOBAL ID：200903039332619267

薄膜の製造方法

Inventor： 石川 准子 ,  北折 典之 ,  吉田 修 ,  佐々木 克己
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995202299
Publication number (International publication number)：1997052707
Application date： Aug. 08, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 薄膜上に所望の化合物の層を形成する際に、前記化合物の均一性と結着性をより向上させる。【解決手段】 ECR プラズマCVD 法等により基材上に形成された不飽和結合を有するダイヤモンドライクカーボン薄膜等の不飽和結合を有する炭素膜上に、該不飽和結合と反応可能な官能基を有する化合物を塗布した後、紫外光を照射して両者を反応させて、前記膜と前記化合物とを結合させる。

Claim (excerpt)：

不飽和結合を有する炭素膜に、前記不飽和結合と反応可能な官能基を有する化合物を塗布した後、該塗布面に紫外光を照射することにより、前記化合物を前記炭素膜に結合させて薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  C30B 29/04 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84

FI (4)：

C01B 31/02 101 Z ,  C30B 29/04 Z ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 B