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J-GLOBAL ID：200903039358539695

半導体装置とその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  間瀬 晃 ,  ▲ひろ▼木 正明 ,  竹村 保彦 ,  張 宏勇 ,  魚地 秀貴 ,  根本 英樹
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038637
Publication number (International publication number)：1993267667
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型電気光学装置に用いる薄膜絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、逆バイアス時のリ-ク電流を減少せしめた半導体装置とその作製方法を提供する。【構成】 絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、チャネル長をゲート電極のチャネル長方向の長さよりも長くすることにより、チャネル領域の両側部にゲート電極による電界の全くかからないあるいはゲート電極垂直下に比較して非常に弱いオフセット領域を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に少なくとも半導体層、絶縁膜層および導体層を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、チャネル長がゲート電極のチャネル長方向の長さよりも長い事を特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭58-027365
  
• 特開昭63-219152
  
• 特開平3-165575
  
• 特開昭63-219152
  
• 特開昭58-023478
  
• 特開昭58-023479
  
• 特開昭59-021067