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J-GLOBAL ID：200903039361504657

SOIウエーハおよびSOIウエーハの製造方法

Inventor： 降籏 順一郎 ,  三谷 清 ,  小林 徳弘 ,  秋山 昌次
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999102698
Publication number (International publication number)：2000294470
Application date： Apr. 09, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 SOIウエーハを用いて作製されるMOSデバイスの酸化膜耐圧やしきい値電圧あるいはやキャリア移動度等のデバイス特性のバラツキ等に及ぼす影響が極めて少ないSOI層表面の面粗さとSOI/BOX界面の面粗さを有する高品質SOIウエーハとその製造方法を提供する。【解決手段】 SOIウエーハのSOI層表面の面粗さがRMS値で0.12nm以下および/またはSOI層と埋め込み酸化膜との界面の面粗さがRMS値で0.12nm以下であるSOIウエーハ、並びにSOIウエーハを鏡面研磨した後、該表面の自然酸化膜を除去または該表面に300nm以上の熱酸化膜を形成して該熱酸化膜を除去し、急速加熱・急速冷却装置を用いて水素100%あるいは水素を10%以上含有するアルゴンおよび/または窒素との混合ガス雰囲気下で熱処理を行なうことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

SOIウエーハのSOI層表面の面粗さがRMS値で0.12nm以下であることを特徴とするSOIウエーハ。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/26 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/26 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜半導体基板の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038848   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210454   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-094855   Applicant：信越半導体株式会社
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-031698   Applicant：川崎製鉄株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Contribution of Polished Surface Waviness to Final SOI Thickness Uniformity of Bonded Wafers