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J-GLOBAL ID：200903039363424243

半導体ウェーハ処理システムの複数のパラメータを用いてプロセスを監視する方法及び装置

Inventor： ジェームズ ピー. クルーズ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998167642
Publication number (International publication number)：1999087323
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 複数のプロセスパラメータを使って半導体ウェーハ処理システム内のプロセス監視を行う方法及び装置を提供する。【解決手段】 本装置は、エッチングプロセスの終点検出及びチャンバ内の他の特性の検出が正確に行われるように、複数のプロセスパラメータを分析し、これらのパラメータを統計的に相関させてプロセス特性の変化を検出する。これら複数のパラメータとしては、発光、環境パラメータ(例えば、反応チャンバ内の圧力や温度)、RFパワーパラメータ(例えば、反射パワーや同調電圧)、システムパラメータ(例えば、特定のシステム構成や制御電圧)が挙げられる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ処理システムパラメータを監視する方法であって、システム特性を示すパラメータデータを取得するステップと、パラメータデータの種々のソースからの前記データを相関させて、相関信号を生成するステップと、前記相関信号の特定の値に対応するトリガ基準を定めてトリガ点を形成するステップと、前記相関信号を前記トリガ点と比較して、前記システム内の特定の特性の存在を判断するステップと、前記比較に反応するステップと、を備える方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/02 Z