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J-GLOBAL ID：200903039367645791

安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびその製造方法

Inventor：
谷本 智

About 谷本 智


Applicant, Patent owner：
日産自動車株式会社

About 日産自動車株式会社


Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996076318
Publication number (International publication number)：1997263494
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】イオンドリフトのない単結晶安定化ジルコニア膜/c-Si複合構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン半導体基体1に安定化ジルコニア薄膜(ZrO2)2を成長した複合構造体において、前記安定化ジルコニア薄膜がZrの原子価4価よりも低い原子価金属の酸化物からなる安定化剤と、前記Zrの原子価4価よりも高い原子価金属の酸化物からなる酸素イオン空孔消滅剤とを概ね等量含有する、ことを特徴とする安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン半導体基体に安定化ジルコニア薄膜(ZrO2)を成長した複合構造体において、前記安定化ジルコニア薄膜がZrの原子価4価よりも低い原子価金属の酸化物からなる安定化剤と、前記Zrの原子価4価よりも高い原子価金属の酸化物からなる酸素イオン空孔消滅剤とを概ね等量含有する、ことを特徴とする安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体。
IPC (4)：
C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/316 ,  H01L 49/02
FI (4)：
C30B 29/16 ,  C30B 23/08 Z ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 49/02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開昭63-168551
  • 特表平7-509689
  • 磁気記録媒体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052452   Applicant：ホーヤ株式会社
Cited by examiner (3)
  • 特開昭63-168551
  • 特表平7-509689
  • 磁気記録媒体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052452   Applicant：ホーヤ株式会社

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