ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高松猛 , 矢澤清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008029397
Publication number (International publication number)：2008233877
Application date： Feb. 08, 2008
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】通常露光(ドライ露光)のみならず液浸露光においても、良好な解像性を示し、微細なラインパターンの倒れが低減されたネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)エピスルフィド構造(2個のC原子と1個のS原子とから成る3員環構造)を少なくとも1個有する化合物、(B)アルカリ可溶性樹脂及び(C)活性光線又は放射線の放射により酸を発生する化合物を含有するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で表されるエピスルフィド構造(2個のC原子と1個のS原子とから成る3員環構造)を少なくとも1個有する化合物、(B)アルカリ可溶性樹脂及び(C)活性光線又は放射線の放射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。

IPC (6)：

G03F 7/038 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08L 101/12 , C08K 5/378 , C08K 5/00

FI (6)：

G03F7/038 601 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , C08L101/12 , C08K5/378 , C08K5/00

F-Term (35)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE07 , 2H025CB11 , 2H025CB14 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC17 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J002AA001 , 4J002BG071 , 4J002BG081 , 4J002EB007 , 4J002EQ017 , 4J002ET018 , 4J002EU008 , 4J002EU098 , 4J002EV237 , 4J002EV247 , 4J002EV297 , 4J002EV306 , 4J002EW177 , 4J002FD148 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GP03 , 4J002HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

ネガ型フォトレジスト材料、およびそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-162716 Applicant：日本電気株式会社
レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法並びにレジスト剤用架橋剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-195038 Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電子工業株式会社
ネガ型感光性組成物およびこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-039331 Applicant：株式会社東芝

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