単結晶の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995193364
Publication number (International publication number)：1997040486
Application date： Jul. 28, 1995
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】フローティングゾーン法における単結晶の大径化を可能とし、原料棒と種結晶の接合を容易とする。【解決手段】フローティングゾーン法により単結晶を製造する際に、原料棒と種結晶の接合後、単結晶育成方向において次第に大径とされ、種結晶よりも大径とされる肩部を形成し、この上に円筒状の直胴部を形成する。なお、接合後から肩部形成までの雰囲気ガス中の酸素濃度Co<SB>1</SB> 、肩部形成時の酸素濃度Co<SB>2</SB> 、直胴部形成時の酸素濃度Co<SB>3</SB> がCo<SB>1</SB> =Co<SB>3</SB> 、Co<SB>1</SB> <Co<SB>2</SB> 、Co<SB>3</SB> <Co<SB>2</SB> の関係を有することが好ましい。また、上記のようにして単結晶を製造するに際し、原料棒及び種結晶を融点近傍における液体の密度が固体の密度よりも小さい材料系により形成し、原料棒と種結晶の接合時の雰囲気ガス中の酸素濃度を後工程における酸素濃度よりも低くする。

Claim (excerpt)：

所定の雰囲気ガス中において原料棒及び/又は種結晶の先端部に溶融部を形成し、原料棒と種結晶を接合してこれらの間に溶融帯を形成し、この溶融帯を回転させながら前記原料棒内において相対的に移動させることにより順次単結晶化して単結晶を製造する単結晶の製造方法において、原料棒と種結晶の接合後、単結晶育成方向において次第に大径とされ、種結晶よりも大径とされる肩部を形成し、続いて円筒状の直胴部を形成することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 13/30 , C30B 13/00 , C30B 13/24 , C30B 29/22 , H01L 21/208

FI (5)：

C30B 13/30 , C30B 13/00 , C30B 13/24 , C30B 29/22 Z , H01L 21/208 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ルチル単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-342928 Applicant：富士電気化学株式会社
特開昭59-054690

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