Pat
J-GLOBAL ID：200903039401861008
シャロートレンチ形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991155765
Publication number (International publication number)：1995078866
Application date： May. 30, 1991
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】本発明は、アライメント部トレンチ内の埋込材を選択的に除去してシャロートレンチを形成し、正確なアライメントが行え、信頼性の高いプロセスでULSIを効率良く製造できるシャロートレンチ形成方法を提供することを目的とする。【構成】基板1上にトレンチ2及びアライメント部トレンチ4を形成し、次いで上記トレンチ2及び4をバイアスECR-CVDにより埋込材3で埋め込み、次いでトレンチ外に形成された埋込材3aを水平方向にエッチングしてトレンチ2上の溝幅を広く、次いで平坦化されたアライメント部トレンチ4内の埋込材3を露出するようにホトレジスト8でパターニングして、アライメントマーク部4の埋込材3だけを選択的にエッチングして除去する。
Claim (excerpt)：
基板の表面部にトレンチを形成し、次いで、このトレンチをバイアスECR-CVDにより形成した埋込材で埋め込み、次いでその埋め込みの際にトレンチ外に形成された埋込材によるトレンチ上の溝幅を広くするための埋込材に対する水平方向のエッチングを行い、その後、上記トレンチのうちのアライメント部トレンチ以外のトレンチ内の埋込材をマスクしてトレンチ外及びアライメント部トレンチ内の埋込材を除去するシャロートレンチ形成方法であって、上記平坦化されたアライメント部の埋込材を露出させる構成でレジストパターンを形成することを特徴とするシャロートレンチ形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/31 B
