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J-GLOBAL ID：200903039403719543

水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ

Inventor： 阿賀 浩司 ,  楯 直人 ,  三谷 清
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  エス オー アイ テック エス・エー
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998314018
Publication number (International publication number)：2000124092
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 水素イオン注入剥離法において、剥離後にSOI層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、SOI層の膜厚均一性を維持しつつ除去することにより、高品質のSOIウエーハを製造する方法を提供する。【解決手段】 水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えるSOIウエーハを製造する方法。および、水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えるSOIウエーハを製造する方法。および、これらの方法で製造されたSOIウエーハ。

Claim (excerpt)：

水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311975   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平4-115511
  
• シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080939   Applicant：三菱電機株式会社
• 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-094855   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-337617   Applicant：株式会社リコー
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-171620   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平3-109731