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J-GLOBAL ID：200903039407510720

ヘテロ接合半導体デバイス

Inventor： 五明 明子 ,  鈴木 徹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995013074
Publication number (International publication number)：1995288365
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板と格子整合した高信頼でかつバンドギャップのエネルギーの制御幅の大きなヘテロ接合半導体デバイスを得る。【構成】 InP基板3上に、3倍周期型秩序相のGa0.5 In0.5 As活性層1及びその両側に無秩序相のAl0.5 In0.5 Asクラッド層2を有するダブルヘテロ型半導体レーザである。3倍周期型結晶あるいは、[111]A方向2倍周期型結晶のGa0.5 In0.5 As活性層はInP基板に構成整合していながら、発振波長が2μm 乃至それを越える長波長で発振することができる。格子整合がとれているため、長期の高信頼性が得られる。

Claim (excerpt)：

2またはそれ以上の種類の陽イオンがFCC副格子上で秩序構造を有する、1またはN種類の化合物半導体混晶を含む複数種類の化合物半導体層よりなるヘテロ接合半導体デバイスであり、各秩序相混晶層の全部または一部が、[111]Aの結晶方向に当該秩序相混晶が対応する組成で無秩序構造の3倍の周期の陽イオン組成変調周期を有する結晶構造(3倍周期構造と略記)を有することを特徴とするヘテロ接合半導体デバイス。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/68 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体成長方法および半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-088159   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-234185