Pat
J-GLOBAL ID:200903039423703686
半導体発光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000090968
Publication number (International publication number):2001284650
Application date: Mar. 29, 2000
Publication date: Oct. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電極の引き出し方向以外の絶縁膜を取り除くことによって、保護膜を形成したときの発光強度のばらつきを一定に保つことを可能にする。【解決手段】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を形成して、絶縁膜で被覆し、この絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記逆導電型半導体層に接続した第1の電極を前記半導体基板上に引き出して設け、この第1の電極、前記一導電型半導体層、および前記逆導電型半導体層を保護膜で被覆し、前記基板の裏面側に第2の電極を接続して設けた半導体発光素子において、前記絶縁膜を前記第1の電極の引き出し方向のみに設けた。
Claim (excerpt):
基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を形成して、絶縁膜で被覆し、この絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記逆導電型半導体層に接続した第1の電極を前記半導体基板上に引き出して設け、この第1の電極、前記一導電型半導体層、および前記逆導電型半導体層を保護膜で被覆し、前記基板の裏面側に第2の電極を接続して設けた半導体発光素子において、前記絶縁膜を前記第1の電極の引き出し方向のみに設けたことを特徴とする半導体発光素子。
FI (2):
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 A
F-Term (19):
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA05
, 5F041AA10
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA46
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041FF11
, 5F041FF13
, 5F041FF16
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