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J-GLOBAL ID：200903039428314475

低温焼成多層基板

Inventor： 中野 紀男 ,  小田 勉
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997326807
Publication number (International publication number)：1999163535
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 基板材料と内部導体とを一体的に焼成しても、基板材料と内部導体との間で剥がれが発生せず、また、基板材料にクラックが発生することがない低温焼成多層基板を提供する。【解決手段】本発明は、800〜1000°Cで焼成可能なガラス-無機物フィラーからなる誘電体層1a〜1dを複数積層した積層体基板1の内部に、Ag系金属成分と中空状シリカとから成る内部導体3、4を配置して成る低温焼成多層基板である。そして、中空状シリカは、Ag系金属成分100重量部に対して、0.1〜15重量%を含んでいる。

Claim (excerpt)：

800〜1000°Cで焼成可能なガラス成分と無機物粉粒物からなる誘電体シートを複数積層した積層体の内部に、Ag系金属成分と中空状シリカを含むAg系導電性ペーストの焼成によって形成した内部導体を具備してなる低温焼成多層基板。

FI (3)：

H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S