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J-GLOBAL ID：200903039428937570

プラズマ処理装置

Inventor： 家富 洋 ,  吉岡 健 ,  手束 勉 ,  園部 正 ,  大塚 道夫 ,  佐藤 淳二 ,  福田 琢也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995012811
Publication number (International publication number)：1996203694
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 同一反応ガスについて処理特性の異なったガス吹き出し方法を用い、そのガスの流れを制御して処理結果の均一性を向上させるプラズマ処理装置。【構成】 マイクロ波源10から導波管12を通して、石英板30a、30bによって導波管部から仕切られた真空容器室20にマイクロ波11が導入され、コイル13がつくる磁場に基づく電子サイクロトロン共鳴を利用して、プラズマが容器内に生成される。真空容器室にはガス供給源32から2つの異なった吹き出し方法による反応ガスが導入され、ガス流量配分が制御バルブ5で調整される。さらに、処理分布についてその場観測が可能な膜厚計測装置3および流量配分制御装置4が備えられる。【効果】 本発明によれば、処理条件の裕度が拡大し、種々の処理プロセスに対応して処理過程を簡便にかつ短時間で最適化することができ、高品質膜の生成、デバイス製造のスループットの向上が可能となる。

Claim (excerpt)：

真空容器室内に所定の反応ガスを導入し、被処理物に対して成膜あるいはエッチングを行うプラズマ処理装置において、前記反応ガスの空容器室内への導入方法として、前記被処理物の処理面に対してシャワー状にガスを吹き出すガス吹き出し方法、及び、前記被処理面に平行に前記真空容器室の側面からリング状にガスを吹き出すガス吹き出し方法の2つのガス吹き出し方法を併用することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065