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J-GLOBAL ID：200903039430351787

薄膜光起電力装置

Inventor： 渡辺 隆行 ,  松井 正宏
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264852
Publication number (International publication number)：1995122762
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 タンデム構造の光起電力装置において、光吸収層として、バンドギャップが小さいCuInSe2 などのカルコパイライト化合物3を下部セル6に、それよりバンドギャップが大きいCuInS2 などのカルコパイライト化合物10を上部セル12に用いた。【効果】 変換効率が高く、光照射時の耐久性に優れ、かつ安価なタンデム構造の光起電力装置が作製できる。

Claim (excerpt)：

元素周期律表のI -III -VI族化合物薄膜を光吸収層として有する第1の薄膜光起電力素子と、第1の薄膜光起電力素子の光吸収層のI -III -VI族化合物薄膜よりもバンドギャップの広い元素周期律表のI -III -VI族化合物薄膜を光吸収層として有する第2の薄膜光起電力素子とを積層することを特徴とする薄膜光起電力装置。