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J-GLOBAL ID：200903039430446222
半導体の高キャリア密度化法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994126241
Publication number (International publication number)：1995335983
Application date： Jun. 08, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】 青色レーザの発光素子に適用するのに十分となるまで、半導体を高キャリア密度化する方法を提供する。【構成】 不純物がドーピングされた半導体6にシンクロトロン放射光7を照射することにより、不純物を活性化することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
不純物がドーピングされた半導体にシンクロトロン放射光を照射することにより、前記不純物を活性化することを特徴とする、半導体の高キャリア密度化法。
IPC (2)：
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