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J-GLOBAL ID：200903039438322379

面型半導体レーザ装置及び面型半導体レーザ装置の製造方法

Inventor： 沼居 貴陽
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991000604
Publication number (International publication number)：1993021888
Application date： Jan. 08, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】面型半導体レーザ装置の出射ビームの拡がりを抑制する【構成】面型半導体レーザ装置の半導体層内にレンズをモノリシックに形成して出射ビームの集光性を向上した。

Claim (excerpt)：

第1導伝型半導体基板表面に活性層、この活性層上に第2導伝型のクラッド層を少なくとも有し、中心部の反射率が他の部分よりも低くなるよう設定してある第1の多層膜反射鏡を前記第1導伝型半導体基板裏面に備え、前記第2導伝型のクラッド層上に集光機能を有するレンズを有し、前記レンズ上に前記レンズの焦点位置と一致する位置に第2の多層反射膜を有することを特徴とする面型半導体レーザ装置。