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J-GLOBAL ID:200903039445901988

結晶性薄膜用電極

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993069659
Publication number (International publication number):1994283706
Application date: Mar. 29, 1993
Publication date: Oct. 07, 1994
Summary:
【要約】【目的】 基板表面に損傷を与えることなく、配向性の高い結晶性薄膜を形成する。【構成】 下部電極13は、タンタル層11、チタン層12および白金層6から構成されており、下部電極13の上にPZT薄膜8が設けられている。下部電極13にチタン層12が設けられていることから、PZT薄膜8の結晶性をよくすることができる。したがって、白金層6を形成する際、熱処理が不要となるので、リフトオフ法を用いることができる。
Claim (excerpt):
タンタルで構成された第1層、前記第1層の上にチタンで構成された第2層、前記第2層の上に白金で構成された層であって、この層の上には、複合酸化物の結晶性薄膜が形成される第3層、を備えたことを特徴とする結晶性薄膜用電極。

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