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J-GLOBAL ID：200903039447335718

ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 寶地戸 雄幸 ,  門倉 秀公 ,  松本 政道
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995273386
Publication number (International publication number)：1997077592
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Mar. 25, 1997
Summary：

【要約】【目的】 不揮発性メモリーなどに用いられるビスマス層状強誘電体薄膜ABi2B2O9(ここでAはSrまたはBaを、BはNbまたはTaを表す)を化学気相成長法で形成する方法を提供する。【構成】 熱CVD装置において、AとBの原料として、A〔B(OC2H5)6〕2で表されるダブルエトキシドを蒸発または昇華させて導入し、Biの原料として、ビスマスターシャリブトキシドまたはビスマスターシャリペントキシドを昇華させて導入し、加熱した基板上で分解成長させ、次いで酸素を含む雰囲気で熱処理する。【効果】 本発明によれば、上記の原料を用いることにより、膜の組成、結晶構造の制御が容易になり、半導体装置製造において量産性の高い通常のCVD装置が使える効果がある。

Claim (excerpt)：

ABi2B2O9(ただし、式中A=Sr、 Ba、B=Nb、Taのいずれかを表す)で表されるビスマス層状強誘電体の薄膜を気相成長法で製造する場合において、AとBの原料としてA〔B(OC2H5)6〕2で表されるダブルエトキシドを用いることを特徴とするビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (7)：

C30B 25/00 ,  C01G 29/00 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6)：

C30B 25/00 ,  C01G 29/00 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651