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J-GLOBAL ID：200903039452681314

液晶表示装置及びその製造方法

Inventor： 小川 和宏 ,  小野 記久雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992193720
Publication number (International publication number)：1994045607
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】a-Siにエキシマレーザを照射して結晶性の優れたpoly-Siを形成し、高移動度のTFTを製造すること又、前記poly-Si TFTをアクティブマトリクス基板に適用することで、駆動回路内蔵型TFT-LCD,高精細TFT-LCDを実現することを目的とする。【構成】プラズマCVD法により、SiH4 及びB2H6及びPH3 を原料ガスとして、B及びPを微量含んだa-Siを形成する。不純物を含んだa-Siは結晶化しやすく、エキシマレーザを下地膜に熱ダメージを与えない低エネルギーで照射しても結晶性の優れたpoly-Siが得られる。従って、前記poly-SiをTFTの半導体層に適用することで、高移動度のTFTが製造でき、駆動回路内蔵型TFT-LCD,高精細TFT-LCDを製造することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にゲート電極,ゲート絶縁膜,チャネル層,n型不純物層及びソース・ドレイン電極を構成要素とする複数の薄膜トランジスタをスイッチング素子として具備した液晶表示装置において、前記チャネル層がp型及びn型の不純物を含む薄膜多結晶シリコンで構成され、かつ、前記薄膜多結晶シリコンの導電型がp型であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500