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J-GLOBAL ID：200903039462326008

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 田中 義幸 ,  遠藤 哲郎 ,  白田 理一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992262409
Publication number (International publication number)：1994110793
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、データ読み出しの信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【構成】データ領域とECC領域とを有する複数のページからなるブロック単位に分割されたEEPROMモジュール15から、ページ単位でデータを読み出すときに、データ領域の誤りデータを検出・訂正するためのコントロールロッジク8,ECCジェネレータチェック9及びCPU10と、訂正されたデータと、訂正されたデータ以外の全ページのデータとをデータバッファ7に退避させるためのコントロールロッジク8及びCPU10と、誤りデータを含むブロックの全データをEEPROMモジュール15から消去し、データバッファ7に退避された全データをEEPROMモジュール15に再書き込みするためのデータバッファ-7,ECCジェネレータチェッカ9,作業RAM11及びCPU10とを備えている。

Claim (excerpt)：

データ領域と訂正用データ領域とを有する複数のページからなるブロック単位に分割された不揮発性半導体記憶手段と、この不揮発性半導体記憶手段からページ単位でデータを読み出すときに、前記データ領域の誤りデータを検出すると共に、この誤りデータが訂正可能なものであるときに、前記誤りのデータを訂正する誤り検出・訂正手段と、この誤り検出・訂正手段により訂正されたデータと、この訂正されたデータを含んだブロックのデータのうち、前記訂正されたデータ以外の全ページのデータとをバッファメモリに退避させる退避手段と、前記誤りデータを含むブロックの全ページのデータを前記不揮発性半導体記憶部から消去し、前記バッファメモリに退避された前記ブロックの全ページのデータを前記不揮発性半導体記憶部に再書き込みする再書き込み手段とを具備してなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2)：

G06F 12/16 320 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-130498
  
• 特開昭63-187500
  
• 特開平4-165547