窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997302447
Publication number (International publication number)：1999145511
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 p型層における電流の広がりを改善することによって、透光性電極の面積を小さくして発光効率を向上させることができる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1上に窒化ガリウム系化合物半導体薄膜からなるn型窒化ガリウム系化合物半導体層3と発光層4とp型層20とを有する発光素子において、p型層20は抵抗率の高い第一の層7と、第一の層7よりも抵抗率の低い第二の層6を少なくとも含む構成とし、p型層20に抵抗率の低い層を含ませることによって電流の層方向への流れを促し、電流の拡散の改善を図る。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体薄膜からなるn型層と発光層とp型層とを有する半導体発光素子であって、p型層は抵抗率の高い第一の層と、この第一の層よりも抵抗率の低い第二の層とを少なくとも含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-252896 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-086083 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-186275 Applicant：オムロン株式会社

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