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J-GLOBAL ID：200903039470197403
超解像光学素子及び光メモリ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991197846
Publication number (International publication number)：1994223401
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 光エネルギを有効に活用し、全ての二次元的方向に超解像の効果が得られる超解像素子及びこれを用いた光メモリを提供するにある。【構成】 超解像素子の入射面、出射面を回転対称の非球面形状又は円錐形状とすることにより、全ての二次元的方向に超解像の効果が得られ、この超解像素子を光メモリ装置に使用することにより、記録密度を格段に向上させることが出来る。
Claim (excerpt)：
入射面及び出射面を入射方向に対して凹状とし、更に、入射面に比べて出射面を深い凹状とすることにより、入射した平行光の中央付近の光を外周側へ移動させる超解像光学素子において、前記入射面及び出射面を光軸に対して回転対称とすることを特徴とする超解像光学素子。
IPC (3)：
G11B 7/135
, G02B 13/18
, G02B 27/58
