Pat

J-GLOBAL ID：200903039484770963

ビームスプリッタおよびこれを具備する複合光学素子、光学ピックアップ装置および光記録再生装置

Inventor： 目々澤 聡彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998245941
Publication number (International publication number)：2000076685
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光吸収ロス、入射角度依存性、偏光分離差が何れも小且つ高反射率なビームスプリッタ膜形成面を有するビームスプリッタ、光記録媒体の高密度大容量化に対応する複合光学素子、光学ピックアップ装置、光記録再生装置の提供。【解決手段】 ビームスプリッタ膜形成面3aに形成されたハーフミラー膜2の第1〜20層膜2a〜2tが、第1,5,11,15,19層膜2a,2e,2k,2o,2sを例えば屈折率2.32のTiO2 膜、第2,4,6,8,10,12,14,16,18,20層膜2b,2d,2f,2h,2j,2l,2n,2p,2r,2tを例えば屈折率1.63のAl2 O3 膜、第3,7,9,13,17層膜2c,2g,2i,2m,2qを例えば屈折率1.46のSiO2 膜とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも、入射光の光軸に対してほぼ45度の斜面にビームスプリッタ膜が形成されているビームスプリッタにおいて、前記ビームスプリッタ膜が、屈折率がほぼ2.30である第1層膜と、前記第1層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第2層膜と、前記第2層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第3層膜と、前記第3層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第4層膜と、前記第4層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第5層膜と、前記第5層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第6層膜と、前記第6層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第7層膜と、前記第7層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第8層膜と、前記第8層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第9層膜と、前記第9層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第10層膜と、前記第10層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第11層膜と、前記第11層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第12層膜と、前記第12層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第13層膜と、前記第13層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第14層膜と、前記第14層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第15層膜と、前記第15層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第16層膜と、前記第16層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第17層膜と、前記第17層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第18層膜と、前記第18層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第19層膜と、前記第19層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第20層膜とを有することを特徴とするビームスプリッタ。

IPC (2)：

G11B 7/135 ,  G11B 7/12

FI (2)：

G11B 7/135 A ,  G11B 7/12

F-Term (6)：

5D119AA22 ,  5D119AA43 ,  5D119DA01 ,  5D119DA05 ,  5D119JA25 ,  5D119JB03