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J-GLOBAL ID：200903039511645670

薄膜多層回路基板

Inventor： 鈴木 直樹 ,  堀 厚生
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991217479
Publication number (International publication number)：1993055751
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 小型高密度を実現するとともにコンデンサ容量の変更が簡単である薄膜多層回路基板を提供する。【構成】 ヴィアホール12を有する層間絶縁層10と配線導体層11とを交互に絶縁基板1上に多層積層して構成され、上記層間絶縁層10のひとつを誘電体9としその両側の上記絶縁基板1とほぼ同形状の配線導体層11を電極8,8aとするコンデンサ7をすくなくとも1個含んでおり、かつ上記コンデンサ7の誘電体9となる層間絶縁層は他の層間絶縁層10より膜厚を薄く、または誘電率が高い材料で構成してコンデンサ容量を確保している。

Claim (excerpt)：

ヴィアホールを有する層間絶縁層と配線導体層とを交互に絶縁基板上に多層積層して構成され、上記層間絶縁層のひとつを誘電体としその両側の上記絶縁基板とほぼ同形状の配線導体層を電極とするコンデンサをすくなくとも1個含んでおり、かつ上記コンデンサの誘電体となる層間絶縁層は他の層間絶縁層より膜厚が薄い薄膜多層回路基板。