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J-GLOBAL ID：200903039515076017

ウェーハの平坦化方法とその装置

Inventor： 山本 一弘
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998214794
Publication number (International publication number)：2000031127
Application date： Jul. 13, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 局所プラズマエッチング(PACE)において、エッチング量が多くなるとCZシリコン中に存在するCOPを拡大、増加させる問題を解消し、SOIウェーハの薄膜化やシリコンウェーハの平坦化技術を向上させることができるウェーハの平坦化方法とその装置の提供。【解決手段】 ノズル1部を接地し、ステージ3にブロッキングコンデンサ6を介して高周波電力5を印加することにより、従来の等方性エッチングを異方性エッチングとすることが可能であり、また、異方性エッチングが支配的になる低圧力(10-3〜1Torr)でウェーハ2の平坦化を行うとCOPを拡大・増加させることなく、平坦度の向上効果が得られる。

Claim (excerpt)：

ノズル内部に反応ガスを導入して発生させたプラズマにて、ヘッドノズルと相対移動するウェーハ表面をエッチングして所要のウェーハの平坦度を得るウェーハの平坦化方法において、ノズル部を接地し、ウェーハを載せたステージにブロッキングコンデンサを介して高周波電力を印加し、異方性エッチングを行うウェーハの平坦化方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 621

FI (2)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/304 621 Z

F-Term (4)：

5F004AA11 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004DB01